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样(yàng)片申请 | 简体中文
SiLM534xAT系列
40V, 1A - 4A 兼容(róng)光耦的(de)单通道隔离驱(qū)动器(qì)
样(yàng)片申请
SiLM534xAT Datasheet
产品概述(shù)
产品特性
安规认(rèn)证
典型应用图
产品概述

SiLM534xAT是单通道兼容(róng)光耦的(de)隔离式(shì)栅极驱动器产品系(xì)列,适用于驱动IGBT、MOSFET。其峰值驱(qū)动电流从 1.0A到4.0A以(yǐ)及有不同(tóng)的UVLO电压。与光耦栅极驱动器(qì)相(xiàng)比,其性能和可靠性(xìng)都得到显著(zhe)的提升,同时保持了对光耦栅(shān)极(jí)隔(gé)离(lí)驱动器管脚(jiǎo)的兼(jiān)容。性能提升包括(kuò)高共(gòng)模瞬态抗扰度(CMTI)、低传播延迟(chí)和较(jiào)小(xiǎo)的脉宽失真(zhēn)。

SiLM534xAT的输入级(jí)是一(yī)个“模拟二极管”,与传统(tǒng)光(guāng)耦相比,没(méi)有老化问题,并具有高可(kě)靠(kào)性(xìng)。采用(yòng)SOP6W-T的封装,爬电距(jù)离和空(kōng)气间(jiān)隙距离大(dà)于(yú)8mm。其(qí)相对漏(lòu)电起痕指数(CTI)>400V。SiLM534xAT的高性能和高可(kě)靠性使其非常适(shì)合用于所有类型的电机(jī)驱动器(qì)、太阳能逆(nì)变器、工业电源和电器等。

产(chǎn)品特性

1.0A 到 4.0A 峰值输(shū)出电(diàn)流

110ns (最(zuì)大) 传输延迟(chí)

25ns (最大(dà)) 器件间(jiān)延迟匹配

35ns (最大) 脉宽失真

150kV/us (最小(xiǎo)) 共模瞬态抗扰度 (CMTI)

30V 输入反向耐压能力

管(guǎn)脚兼容(róng)光耦门极隔(gé)离驱动器

提(tí)供 SOP6W-T 封装, 爬(pá)电距离和空气间隙距离(lí) >8mm

驱动(dòng)器(qì)输出电源电压(yā)范(fàn)围:
 - 10V到40V(SiLM5345/6T)
 - 14V到(dào)40V(SiLM5340/1/3T)

工作(zuò)结(jié)温(wēn)范围, TJ: –40°C  ~  +150°C

安规认(rèn)证

符合 UL 1577 1 分钟的 5kVRMS

符合 GB4943.1-2022 的 CQC 认证

符合 DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17): 2021-10 认(rèn)证(待定(dìng))

符合 TUV IEC 61010-1: 2010+A1 和 IEC 62368-1: 2018 的认证

典型应用图

产品参数表

展开(kāi)过(guò)滤器
Part Number Power Switch Feature Input VCC (V) IOH/IOL(A) Output VCC/VDD (V) Prop. Delay (ns) CMTI (kV/μs) Min. VISO(Vrms) Operating Temp (℃) Package Group Packing/QTY
SiLM5340ATCR-DGIGBT/MOSFETs--1.0/1.514 ~ 40751505000–40 ~ 125SOP6W-TReel/1000
SiLM5341ATCR-DGIGBT/MOSFETs--3.0/4.514 ~ 40751505000–40 ~ 125SOP6W-TReel/1000
SiLM5343ATCR-DGIGBT/MOSFETs--4.0/6.014 ~ 40751505000–40 ~ 125SOP6W-TReel/1000
SiLM5345ATCR-DGIGBT/MOSFETs--1.0/1.510 ~ 40751505000–40 ~ 125SOP6W-TReel/1000
SiLM5346ATCR-DGIGBT/MOSFETs--4.0/6.010 ~ 40751505000–40 ~ 125SOP6W-TReel/1000
应用案例

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